一般社団法人日本ファインセラミックス協会は、ファインセラミックスに関する情報の収集及び提供や研究を広く行い、産業の拡大発展のためにさまざまな活動を進めてまいります。

トレンドの話題について理解や議論を深めていただくため、平成30年度第4回のJFCAイブニングセミナーを開催いたします。

IOTあるいはAIが我々の生活を大きく変えようとしています。ファインセラミックス薄膜は、これら技術を支える重要なデバイス材料で、工業的には、化学気相成長法、蒸着法、あるいはスパッタリング法により堆積されます。
スパッタリング法はこれらの技術の中でも特有な特色を持つ方法です。それらは、
(1)大面積低温基板あるいは基材に物性が良く、さらに均一性に優れた薄膜を堆積できる
(2)高融点金属あるいは高融点化合物薄膜を低温基板・基材に堆積できる
(3)ターゲット組成に基づいた複合組成の薄膜を堆積できる
(4)薄膜堆積プロセスが非平衡であるがゆえに、薄膜堆積速度および物性が幾何的にも時間的にも装置構成あるいは放電条件変化により変化する
(5)金属薄膜の堆積において薄膜堆積速度が高いが、化合物薄膜の堆積において薄膜堆積速度が低い、等が挙げられます。
今後ファインセラミックス薄膜が我々の生活の中で重要性を増すことが予測されます。
このような背景を踏まえて、金沢工業大学　バイオ・化学部応用化学科　教授　草野先生から「スパッタリング技術による新機能薄膜材料の工業的展開」についてお話しいただきます。
皆様のご参加をお待ちしています。
　草野先生HP：http://kitnet.jp/laboratories/labo0148/index.html

開催要領は次のとおりです。参加ご希望の方は、添付の申込票にご記入いただきメールまたはFAXでお送り下さい。

日　時　　平成30年11月30日（金）16:00～18:00

場　所　　JFCA会議室　(東京都港区芝公園1-2-6 ランドマーク芝公園2階)

講演者　　金沢工業大学　バイオ・化学部応用化学科　教授　草野 英二先生　　　

演　題　　「スパッタリング技術による新機能薄膜材料の工業的展開」
概　要　
スパッタリング技術によるファインセラミックス薄膜の工業的応用は、酸化物、窒化物、および炭化物のすべてに至り、特に窒化物あるいは炭化物薄膜のスパッタリング法による堆積は、高融点材料を低温基板あるいは基材に堆積できるという特徴があります。近年さらに、複合酸化物あるいは窒化物・酸化物混合体薄膜などもスパッタリング法により堆積されており、フッ化物あるいは硫化物薄膜堆積へのスパッタリング技術の応用も期待されています。電気的には負性なガスを反応性放電ガスとする薄膜堆積法であり、従来は工業的展開が困難とされていた、いずれもスパッタリング法の工業的特徴をいかした基板大面積化、プロセス低温化、あるいはプロセス単純化などにより応用が広がります。スパッタリング技術の弱点を克服しながら、その特徴をいかし、工業的に展開していくことが、我が国産業の東・南アジア等の諸外国に対する優位性を保っていくことにつながります。セミナーにおいては、スパッタリング法の特徴を解説しながら、そのファインセラミックス薄膜堆積への応用を議論いたします。

スケジュール
16:00～17:00　ご講演
17:00～18:00　フリーディスカッション （さらに深い質疑応答にはフリーディスカッションスカッションをご活用下さい）

定　員　　20人程度　（先着順。原則1社2名様までとさせていただきます。）

参加費
JFCA会員会社ご所属の皆さんの参加費は無料です。
JFCA会員会社以外の企業の方は参加費￥3,000です。
講演中の参加者への飲み物は用意しませんので、必要に応じペットボトル等をお持ち下さい。

参加費（フリーディスカッション）
500円です。ビール・ソフトドリンク等の飲み物と軽いおつまみを用意致します。なお、領収書の発行は致しません。

お問合せ先
(一社)日本ファインセラミックス協会 (JFCA)　佐藤 英樹
〒105-0011 東京都港区芝公園1-2-6 ランドマーク芝公園2階
TEL (03)3431-8271、FAX (03)3431-8284
E-mail sato@jfca-net.or.jp

（お申し込み後に返信がない場合はお問い合わせ願います）